MARC details
000 -LÍDER |
fixed length control field |
04425cmm a2200301 a 4500 |
001 - NÚMERO DE CONTROL |
control field |
u381823 |
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
control field |
SIRSI |
008 - ELEMENTOS DE LONGITUD FIJA -- INFORMACIÓN GENERAL |
fixed length control field |
150504s2015 mx fo | spa d |
040 ## - FUENTE DE CATALOGACIÓN |
Transcribing agency |
MX-MeUAM |
050 #0 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
Classification number |
TK7871.15.F5 |
Item number |
H47 2015 |
100 1# - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL |
Personal name |
Herrera García, Jesús Rigoberto. |
245 10 - MENCIÓN DE TITULO |
Title |
Caracterización estructural y por espectroscopías elipsométrica y raman de películas delgadas para aplicaciones en la industria semiconductora |
Medium |
[recurso electrónico] / |
Statement of responsibility, etc. |
Jesús Rigoberto Herrera García ; director, Nicola Radnev Nedev ; codirector, Mario Alberto Curiel Álvarez. |
260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC. (PIE DE IMPRENTA) |
Place of publication, distribution, etc. |
Mexicali, Baja California, |
Date of publication, distribution, etc. |
2015. |
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
Extent |
1 recurso en línea (132 p. : |
Other physical details |
il., gráficas) |
500 ## - NOTA GENERAL |
General note |
Maestría y Doctorado en Ciencias e Ingeniería. |
502 ## - NOTA DE TESIS |
Dissertation note |
Tesis (Doctorado) --Universidad Autónoma de Baja California. Instituto de Ingeniería, Mexicali, 2015. |
504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC. |
Bibliography, etc |
Incluye referencias bibliográficas. |
520 ## - NOTA DE RESUMEN, ETC. |
Summary, etc. |
La industria microelectrónica es una de las más generosas del mercado actual. No sólo por que se han desarrollado instrumentos, aparatos y dispositivos de alta tecnología, sino porque el diseño de ellos conlleva a un análisis teórico muy interesante, sobre todo cuando se estudian las interacciones entre partículas y en presencia de campos electromagnéticos. El material dominante en la industria microelectrónica es el silicio (Si), debido a su abundancia, propiedades y a que los procesos de manufactura que requiere para su transformación y manipulación son en costos, competitivos con respecto a otros materiales. Una de las tendencias en la innovación e investigación en semiconductores está en el diseño de materiales binarios y ternarios; ya sea en homouniones y heterouniones en películas delgadas y ultradelgadas. Otra área de estudio vigente es la de los materiales nanoestructurados, en la literatura se reportan diferentes métodos de síntesis para fabricarlos y encontrar sus propiedades con aplicaciones a dispositivos. En esta tesis se reportan las características y propiedades de materiales nanoestructurados 0D (nanopartículas de silicio) que se encuentran incrustados en una matriz de óxido de silicio amorfa. Dichas nanopartículas pueden ser sintetizadas en forma cristalina o amorfa, a través 4 de procesos de recocido de óxido subestequiométrico (SiOx) bajo diferentes condiciones experimentales. Mediante espectroscopías y microscopías se estudian los materiales para determinar su composición química y características estructurales, para así correlacionarlas con los procesos de fabricación. A través de caracterización eléctrica se analizan los mecanismos de transporte y de almacenamiento de carga, esto mediante la obtención de curvas capacitancia-voltaje (C-V) y corriente- voltaje (I-V); así se cuenta con un panorama completo de la estructura y propiedades de los materiales que permiten buscar aplicaciones a dispositivos electrónicos y optoelectrónicos, tales como sensores, memorias y dosímetros. Ante la diversidad de técnicas y herramientas para caracterización es relevante analizar cuáles son las más pertinentes para realizar un estudio preliminar de las propiedades, en específico de materiales nanoestructurados. Con ello se pretende conocer de manera confiable las propiedades de las estructuras fabricadas antes de ser sometidas a otras técnicas. Uno de los objetivos de esta tesis es abordar el conocimiento y la técnica de una manera unificadora, de tal forma que el lector pueda comprender la relevancia de tener el fundamento teórico de la ingeniería de materiales englobado en las Leyes de la Física, el diseño y caracterización de materiales, así como del proceso de manufactura y sus áreas de oportunidad. Las compañías no pueden innovar realmente en nuevos productos sin un sentido global e integral del concepto. |
596 ## - |
-- |
2 |
650 #4 - ASIENTO SECUNDARIO DE MATERIA - TERMINO TEMÁTICO |
Topical term or geographic name as entry element |
Semiconductores de películas delgadas |
Form subdivision |
Tesis y disertaciones académicas. |
650 #7 - ASIENTO SECUNDARIO DE MATERIA - TERMINO TEMÁTICO |
Topical term or geographic name as entry element |
Semiconductores |
Form subdivision |
Tesis y disertaciones académicas. |
Source of heading or term |
lemb |
650 #7 - ASIENTO SECUNDARIO DE MATERIA - TERMINO TEMÁTICO |
Topical term or geographic name as entry element |
Microelectrónica |
Form subdivision |
Tesis y disertaciones académicas. |
Source of heading or term |
lemb |
700 1# - ASIENTO SECUNDARIO - NOMBRE PERSONAL |
Personal name |
Radnev Nedev, Nicola, |
Relator term |
dir. |
700 1# - ASIENTO SECUNDARIO - NOMBRE PERSONAL |
Personal name |
Curiel Álvarez, Mario Alberto, |
Relator term |
dir |
710 2# - ASIENTO SECUNDARIO - NOMBRE CORPORATIVO |
Corporate name or jurisdiction name as entry element |
Universidad Autónoma de Baja California. |
Subordinate unit |
Instituto de Ingeniería. |
856 4# - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
Public note |
Tesis Digital |
Uniform Resource Identifier |
<a href="https://drive.google.com/file/d/0B7AGEh5aIwoTS3lSdGJhTmN4ZDg/view?usp=sharing">https://drive.google.com/file/d/0B7AGEh5aIwoTS3lSdGJhTmN4ZDg/view?usp=sharing</a> |
942 ## - TIPO DE MATERIAL (KOHA) |
Koha item type |
Tesis |