MARC details
| 000 -LIDER |
|---|
| fixed length control field |
07656nam a22002537a 4500 |
| 003 - CONTROL NUMBER IDENTIFIER |
|---|
| control field |
MX-MeUAM |
| 005 - DATE AND TIME OF LATEST TRANSACTION |
|---|
| control field |
20221207083730.0 |
| 008 - FIXED-LENGTH DATA ELEMENTS--GENERAL INFORMATION |
|---|
| fixed length control field |
170131s2019 mx ||||fo||d| 00| 0 spa d |
| 040 ## - CATALOGING SOURCE |
|---|
| Transcribing agency |
MX-MeUAM |
| Language of cataloging |
spa |
| 050 00 - LIBRARY OF CONGRESS CALL NUMBER |
|---|
| Classification number |
R857 .B54 |
| Item number |
M37 2019 |
| 100 1# - MAIN ENTRY--PERSONAL NAME |
|---|
| Personal name |
Martín Cabañas, Miguel Ángel |
| 9 (RLIN) |
18694 |
| 245 10 - TITLE STATEMENT |
|---|
| Title |
Estudio teórico de enfriamiento óptico de fotodetectores de unión np de silicio con película delgada de Ge en la zona de depleción |
| Medium |
[recurso electrónico] / |
| Statement of responsibility, etc. |
Miguel Ángel Martín Cabañas; director, Carlos Villa Angulo |
| 260 ## - PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC. (IMPRINT) |
|---|
| Place of publication, distribution, etc. |
Mexicali, Baja California, |
| Date of publication, distribution, etc. |
2019 |
| 300 ## - PHYSICAL DESCRIPTION |
|---|
| Extent |
1 recurso en línea, 150 p. ; |
| Other physical details |
il. col. |
| 500 ## - GENERAL NOTE |
|---|
| General note |
Maestría y Doctorado en Ciencias e Ingeniería |
| 502 ## - DISSERTATION NOTE |
|---|
| Dissertation note |
Tesis (Doctorado)--Universidad Autónoma de Baja California, Instituto de Ingeniería, Mexicali, 2019. |
| 520 ## - SUMMARY, ETC. |
|---|
| Summary, etc. |
Las características de desempeño de los fotodetectores están siendo rebasadas por las<br/>necesidades reales de la industria en términos de su aplicación y fabricación.<br/>Características como eficiencia y potencia son claves para la competencia en el<br/>mercado, así como también para el desarrollo de nuevas aplicaciones empresa Esta tesis<br/>propone conocer la estructura básica de un fotodetector o celda unitaria del tipo unión<br/>Si-np (Silicio np) y sus características eléctricas y ópticas, esto con el fin de obtener<br/>resultados de su desempeño en el espectro de la luz solar. Así mismo, se presenta una<br/>opción de mejora en sus características con la inclusión de un pozo cuántico de Ge<br/>(Germanio) de 5 nm de espesor que es colocado en el medio de las región de<br/>agotamiento de la capa activa de la unión. Por sus características de confinamiento de<br/>cargas, el pozo aporta electrones a la corriente de difusión que contribuyen al incremento<br/>de la densidad de corriente final de la celda, incrementando la eficiencia de conversión<br/>electrónica en aproximadamente 80%.<br/>Por otro lado, está documentado que la inserción de pozos cuánticos finitos en<br/>sólidos contribuye al proceso de enfriamiento óptico, promoviendo la disipación de calor<br/>a través de la generación de frecuencias anti-stoke por procesos de inversión de<br/>población y desprendimiento de energía a través de emisión fotónica. Por esta razón, se<br/>estudió la interacción del pozo con el sistema a fin de verificar la generación de<br/>fotoluminiscencia y así calcular el valor de la diferencial de calor. Para ello, se calculó el<br/>coeficiente de absorción del pozo y se determinó la potencia neta de emisión utilizando<br/>las ecuaciones de no equilibrio de van Roosbroeck-Shockley en donde se pudo conocer<br/>el pico máximo de emisión y su respuesta a diferentes longitudes de onda en donde el<br/>Ge tiene características de emisión deseables para el sistema. De esta forma, se<br/>determinó la fotoluminiscencia del sistema integral N-Si/p-Si/Ge/p-Si. Posteriormente se<br/>realizó el Cálculo de la potencia neta de emisión en el rango de longitudes de onda<br/>establecido para poderla comparar con la potencia neta de absorción, obteniendo valores<br/>negativos en la potencia neta que reflejan un enfriamiento real de aproximadamente de<br/><br/>7<br/><br/>30 ̊K en su pico máximo de emisión. En esta tesis solo se realizar un estudio teórico<br/>utilizando las técnicas de análisis existentes con el fin de conocer las posibles respuestas<br/>del sistema propuesto en términos de su desempeño eléctrico con o sin pozo cuántico y<br/>su capacidad de generar enfriamiento óptico, no se realiza ninguna aplicación<br/>experimental.<br/>En el capítulo uno se propone una introducción general de la tesis, en donde se<br/>presentan los mecanismos generales de conducción y procesos de conductividad que<br/>justifican el sistema óptico propuesto, describiendo las bandas de conducción, conceptos<br/>de transiciones electrónicas, definición de bandas prohibidas, entre otros. Así también se<br/>muestran algunos resultados obtenidos experimentalmente respecto a la degradación de<br/>la eficiencia electrónica en celdas solares respecto al incremento de la temperatura<br/>interna lo cual es el concepto principal de la tesis propuesta.<br/>El capítulo dos presentan en detalle las técnicas de análisis matemáticos y los<br/>conceptos que fueron utilizados para el análisis del diseño de las celdas sin pozo y con<br/>pozo. Se incluyen, las características corriente-voltaje (I-V) en diodos de unión en estado<br/>de equilibrio y su modificación cuando son estas uniones son estimuladas ópticamente,<br/>el análisis multicapa en la técnica de la matriz de transferencia óptica de primer grado y<br/>la deducción de los coeficientes de Fresnel, la deducción de las ecuaciones para obtener<br/>los niveles discretos de energía en los pozos cuánticos a través de las intersecciones<br/>entre los eigenvalores pares e impares y las gráficas de circunferencia energética<br/>dependientes del espesor del pozo. Así también se muestra el Cálculo del dopaje de<br/>cada una de las capas de la unión y las técnicas y ecuaciones que se utilizaron para<br/>obtenerlo, en donde la capa n se reportó con un dopaje de n = 8.3 × 1014 cm−3 y la capa<br/>p se encuentra dopada con p = 7.6 × 1015 cm−3<br/>.<br/><br/>En el capítulo tres se propone el diseño de la celda unitaria N-Si/p-Si. Se explican<br/>las capas componentes, se calculan las dimensiones de la zona de depleción en función<br/>los dopajes, se obtienen sus características eléctricas de unión np en estado de equilibrio<br/>térmico (sin excitación óptica) y en estado de excitación por incidencia óptica, se<br/>proponen las dimensiones físicas finales a partir de los criterios de dimensión comercial<br/>y de factibilidad en la fabricación. Con esto, se realiza su análisis multicapa cuando el<br/>sólido es impactado por el campo óptico, calculando el campo eléctrico, la disipación del<br/><br/>8<br/><br/>campo y la generación de exitones GL en el sólido. Finalmente, se concluye con la<br/>evaluación de su desempeño, obteniendo sus parámetros eléctricos como fuente de<br/>energía eléctrica, tales como eficiencia, voltaje máximo, corriente máxima y factor de<br/>llenado.<br/>En el capítulo cuatro se realiza el mismo estudio que en el capítulo tres, sin<br/>embargo, ahora se incluye el pozo cuántico de Ge en la zona de depleción de la capa<br/>activa. El diseño de la celda unitaria ahora queda como N-Si/p-Si/Ge/p-Si. Los Cálculos<br/>en esta sección incluyen la obtención de los niveles discretos de energía del pozo en<br/>función del ancho, el Cálculo de la banda prohibida efectiva incluyendo los primeros<br/>niveles energéticos del pozo y su análisis multicapa para el campo eléctrico, la disipación<br/>del campo eléctrico y la generación de exitones GL en el sólido como consecuencia de<br/>la inclusión del pozo. Finalmente se concluye con la caracterización paramétrica de la<br/>celda.<br/>En el capítulo cinco se presenta el estudio sobre el enfriamiento óptico del sistema<br/>propuesto en donde se explican las ecuaciones utilizadas para el CÁLCULO de la<br/>potencia neta de emisión, el perfil de absorción fotónica, la fotoluminiscencia espectral y<br/>el diferencial de temperatura teórico que se genera en el sistema a partir del impacto del<br/>campo óptico en él.<br/>Finalmente se incluye una sección de conclusiones y trabajo futuro junto con los<br/>anexos complementarios.<br/><br/><br/><br/> |
| 650 #7 - SUBJECT ADDED ENTRY--TOPICAL TERM |
|---|
| Término temático o nombre geográfico como elemento de entrada |
Biosensores |
| Subdivisión de forma |
Tesis y disertaciones académicas |
| Fuente del encabezamiento o término |
lemb |
| 650 #7 - SUBJECT ADDED ENTRY--TOPICAL TERM |
|---|
| Término temático o nombre geográfico como elemento de entrada |
Bioingeniería |
| Subdivisión de forma |
Tesis y disertaciones académicas |
| Fuente del encabezamiento o término |
lemb |
| 700 1# - ADDED ENTRY--PERSONAL NAME |
|---|
| Personal name |
Villa Angulo, Carlos |
| Relator term |
dir. |
| 9 (RLIN) |
2051 |
| 710 2# - ADDED ENTRY--CORPORATE NAME |
|---|
| Corporate name or jurisdiction name as entry element |
Universidad Autónoma de Baja California. |
| Subordinate unit |
Instituto de Ingeniería |
| 9 (RLIN) |
3321 |
| 856 4# - ELECTRONIC LOCATION AND ACCESS |
|---|
| Uniform Resource Identifier |
https://drive.google.com/open?id=13VfPHOWnm-XjH5FkyasgKd2ydtcSkz7O |
| Public note |
Tesis Digital |
| 942 ## - ADDED ENTRY ELEMENTS (KOHA) |
|---|
| Koha item type |
Tesis |
