Optimización del proceso de fabricación de películas delgadas de rutenio y óxido de rutenio [recurso electrónico] / Fernando Solorio Soto ; dirigida por Hugo Jesús Tiznado Vázquez, Franklin David Muñoz Muñoz
Tipo de material:
TextoDetalles de publicación: Ensenada, Baja California, 2019Descripción: 1 recurso en línea viii, 34 p. : ilTema(s): Ingeniería -- Tesis y disertaciones académicas | Películas delgadas | Óxidos metálicosClasificación LoC:TA418.9.T45 | S65 2019Recursos en línea: Tesis Digital.
Nota de disertación: Tesis (Licenciatura)--Universidad Autónoma de Baja California. Facultad de Ingeniería, Arquitectura y Diseño, Ensenada, 2019 Resumen: Se fabricaron películas delgadas de rutenio por la técnica de depósito de capa atómica (ALD) usando Bi(etilciclopentadienil) rutenio (Ru(EtCp)2) como precursor y ozono (O3) u oxígeno (O2) como agente oxidante. Se utilizó silicio (100) recubierto con óxido de zirconio (ZrO2) como material de soporte, mientras que el proceso fue realizado en un reactor ALD modelo Beneq TFS-200.
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Signatura | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras |
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| Tesis | Biblioteca Central Ensenada | Colección de Tesis | TA418.9.T45 S65 2019 (Browse shelf(Abre debajo)) | 1 | Disponible | ENS091027 |
Tesis (Licenciatura)--Universidad Autónoma de Baja California. Facultad de Ingeniería, Arquitectura y Diseño, Ensenada, 2019
Incluye referencias bibliográficas e índice
Se fabricaron películas delgadas de rutenio por la técnica de depósito de capa atómica (ALD) usando Bi(etilciclopentadienil) rutenio (Ru(EtCp)2) como precursor y ozono (O3) u oxígeno (O2) como agente oxidante. Se utilizó silicio (100) recubierto con óxido de zirconio (ZrO2) como material de soporte, mientras que el proceso fue realizado en un reactor ALD modelo Beneq TFS-200.
