Low-dimensional II-VI group semiconductor heterostructures development for photosensitive materials application [recurso electrónico] / Laura Alejandra Reyes Verdugo ; director, Carlos Villa Angulo
Tipo de material:
TextoDetalles de publicación: Mexicali, Baja California, 2020Descripción: Recurso en línea, 178 p. : il. colTema(s): Celdas solares -- Tesis y disertaciones académicas. -- Diseño y construcción | Generación de energía fotovoltaica -- Tesis y disertaciones académicasClasificación LoC:TK2960 | R49 2020Recursos en línea: Tesis Digital.
Nota de disertación: Tesis (Doctorado) -- Universidad Autónoma de Baja California. Instituto de Ingeniería, Mexicali, 2020 Resumen: Se ha demostrado que la integración de materiales nanoestructurados en
dispositivos fotovoltaicos abre la posibilidad de desarrollar celdas solares de bajo
costo. En los últimos años, el interés en los semiconductores nanoestructurados
con películas delgadas ha crecido. Se encuentran en una situación destacada en
las investigaciónes actuales en la tecnología de estado sólido debido a sus
aplicaciones en dispositivos cuánticos y fotónicos [1, 2].
En el presente trabajo, se han diseñado, fabricado y caracterizado
dispositivos heteroestructurados semiconductores de baja dimensión del grupo II-
VI mediante diferentes técnicas de depósito, como lo son: Baño químico,
Evaporación térmica y Erosión iónica de RF.
La estructura más novedosa desarrollada y propuesta en el presente
estudio TCO / CdS / CdSe / CdSe0.6Te0.4 / CdSe / Ag en comparación con una
estructura bien estudiada como TCO / CdS / CdSe / Ag, mostró un incremento en
Voc de 0.58 V a 1,54 V, así como un incremento en Jsc de 14,68 mA / cm2
a 21,11
mA / cm2
. Dichos incrementos representan la eficiencia de conversión de energía
(PCE) en los sistemas de 3,1% a 11,6% respectivamente. Tal incremento en el
PCE de la nueva estructura propuesta puede atribuirse a la inserción de la película
delgada de 18 nm CdSe0.6Te0.4 dentro de la región de agotamiento de la interfaz
de CdS de tipo p y CdSe de tipo n.
Este estudio ha demostrado la viabilidad de combinar técnicas para lograr
mejores propiedades en aplicaciones de materiales fotosensibles tales como
dispositivos de heteroestructuras semiconductoras de baja dimensión de grupo II-
VI. Es necesario realizar más estudios más para encontrar todos los detalles
experimentales que podrían llevarnos a tener mayores eficiencias, mejores
propiedades y estabilidad como menores costos de fabricación.
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Signatura | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tesis | Biblioteca Central Mexicali | Colección de Tesis | TK2960 R49 2020 (Browse shelf(Abre debajo)) | 1 | Disponible | MXL122510 |
Doctorado en Ciencias
Tesis (Doctorado) -- Universidad Autónoma de Baja California. Instituto de Ingeniería, Mexicali, 2020
Se ha demostrado que la integración de materiales nanoestructurados en
dispositivos fotovoltaicos abre la posibilidad de desarrollar celdas solares de bajo
costo. En los últimos años, el interés en los semiconductores nanoestructurados
con películas delgadas ha crecido. Se encuentran en una situación destacada en
las investigaciónes actuales en la tecnología de estado sólido debido a sus
aplicaciones en dispositivos cuánticos y fotónicos [1, 2].
En el presente trabajo, se han diseñado, fabricado y caracterizado
dispositivos heteroestructurados semiconductores de baja dimensión del grupo II-
VI mediante diferentes técnicas de depósito, como lo son: Baño químico,
Evaporación térmica y Erosión iónica de RF.
La estructura más novedosa desarrollada y propuesta en el presente
estudio TCO / CdS / CdSe / CdSe0.6Te0.4 / CdSe / Ag en comparación con una
estructura bien estudiada como TCO / CdS / CdSe / Ag, mostró un incremento en
Voc de 0.58 V a 1,54 V, así como un incremento en Jsc de 14,68 mA / cm2
a 21,11
mA / cm2
. Dichos incrementos representan la eficiencia de conversión de energía
(PCE) en los sistemas de 3,1% a 11,6% respectivamente. Tal incremento en el
PCE de la nueva estructura propuesta puede atribuirse a la inserción de la película
delgada de 18 nm CdSe0.6Te0.4 dentro de la región de agotamiento de la interfaz
de CdS de tipo p y CdSe de tipo n.
Este estudio ha demostrado la viabilidad de combinar técnicas para lograr
mejores propiedades en aplicaciones de materiales fotosensibles tales como
dispositivos de heteroestructuras semiconductoras de baja dimensión de grupo II-
VI. Es necesario realizar más estudios más para encontrar todos los detalles
experimentales que podrían llevarnos a tener mayores eficiencias, mejores
propiedades y estabilidad como menores costos de fabricación.
