Síntesis y caracterización de películas delgadas de Al2O3, ZnO y NiOx para aplicaciones en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos / [recurso electrónico] / Jhonathan Castillo Sáenz ; director, Nicola Radnev Nedev ; codirector, Benjamín Valdez Salas, María Bernechea Navarro
Tipo de material:
TextoDetalles de publicación: Mexicali, Baja California, 2022Descripción: Recurso en línea, 188 p. : il. col., gráficas, fotsTema(s): Películas delgadas -- Tesis y disertaciones académicas | Circuitos integrados -- Tesis y disertaciones académicas | Fabricación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. -- Tesis y disertaciones académicasClasificación LoC:TK7871.15.F5 | C38 2022Recursos en línea: Tesis Digital.
Nota de disertación: Tesis (Doctorado) -- Universidad Autónoma de Baja California. Instituto de Ingeniería, Mexicali, 2022 Resumen: El objetivo y principal aportación de este proyecto de investigación, fue el desarrollo de
algunos procesos de síntesis, deposición y caracterización de películas delgadas de Al2O3,
ZnO y NiOx, y su aplicación en la fabricación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.
Se logró obtener con éxito, películas delgadas de Al2O3 y ZnO a baja temperatura mediante
la técnica de deposición por capas atómicas mejorada con plasma (PE-ALD), estas películas
presentaron excelentes propiedades ópticas, morfológicas, estructurales, composicionales y
eléctricas, que permitieron su aplicación en la fabricación de dispositivos electrónicos. Las
películas de Al2O3 y ZnO se utilizaron como dieléctrico y semiconductor tipo-n
respectivamente, en la fabricación de transistores de película delgada transparente,
capacitores y resistores, estos dispositivos presentaron propiedades muy prometedoras para
aplicaciones en electrónica flexible.
Se logró obtener y caracterizar con éxito películas delgadas de NiOx a partir de la oxidación
térmica a 400 °C, 500 °C y 600 °C de películas delgadas de Ni depositadas por la técnica de
evaporación con haz de electrones (e-beam). Se fabricaron fotodiodos basados en una
heteroestructura NiOx/Si. Los diodos con capa de NiOx obtenidos a 500 °C mostraron el
mejor rendimiento en términos de corriente inversa y fotorespuesta. A 0 V estos diodos tienen
responsividades entre 0.85 y 0.41 A/W para longitudes de onda en el rango de 365 – 635 nm,
mientras que bajo un sesgo inverso de -1.5 V la responsividad aumenta a valores entre 59 y
32 A/W. Estas responsividades son mucho más altas que las reportadas previamente para
fotodiodos basados en heteroestructura NiO/Si y se encuentran entre los valores más altos
publicados para detectores de banda ancha.
Por último, se desarrollaron dos procesos de síntesis y deposición de películas delgadas y
nanopartículas de NiOx mediante el método Sol-Gel y la síntesis coloidal respectivamente,
ambos procesos resultaron ser sencillos, de bajo costo y permitieron obtener NiOx con
propiedades ópticas, estructurales, morfológicas, composicionales, muy prometedoras para
aplicaciones en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Signatura | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tesis | Biblioteca Central Mexicali | Colección de Tesis | TK7871.15.F5 C38 2022 (Browse shelf(Abre debajo)) | 1 | Disponible | MXL123740 |
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Doctorado en Ciencias
Tesis (Doctorado) -- Universidad Autónoma de Baja California. Instituto de Ingeniería, Mexicali, 2022
Incluye referencias bibliográficas
El objetivo y principal aportación de este proyecto de investigación, fue el desarrollo de
algunos procesos de síntesis, deposición y caracterización de películas delgadas de Al2O3,
ZnO y NiOx, y su aplicación en la fabricación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.
Se logró obtener con éxito, películas delgadas de Al2O3 y ZnO a baja temperatura mediante
la técnica de deposición por capas atómicas mejorada con plasma (PE-ALD), estas películas
presentaron excelentes propiedades ópticas, morfológicas, estructurales, composicionales y
eléctricas, que permitieron su aplicación en la fabricación de dispositivos electrónicos. Las
películas de Al2O3 y ZnO se utilizaron como dieléctrico y semiconductor tipo-n
respectivamente, en la fabricación de transistores de película delgada transparente,
capacitores y resistores, estos dispositivos presentaron propiedades muy prometedoras para
aplicaciones en electrónica flexible.
Se logró obtener y caracterizar con éxito películas delgadas de NiOx a partir de la oxidación
térmica a 400 °C, 500 °C y 600 °C de películas delgadas de Ni depositadas por la técnica de
evaporación con haz de electrones (e-beam). Se fabricaron fotodiodos basados en una
heteroestructura NiOx/Si. Los diodos con capa de NiOx obtenidos a 500 °C mostraron el
mejor rendimiento en términos de corriente inversa y fotorespuesta. A 0 V estos diodos tienen
responsividades entre 0.85 y 0.41 A/W para longitudes de onda en el rango de 365 – 635 nm,
mientras que bajo un sesgo inverso de -1.5 V la responsividad aumenta a valores entre 59 y
32 A/W. Estas responsividades son mucho más altas que las reportadas previamente para
fotodiodos basados en heteroestructura NiO/Si y se encuentran entre los valores más altos
publicados para detectores de banda ancha.
Por último, se desarrollaron dos procesos de síntesis y deposición de películas delgadas y
nanopartículas de NiOx mediante el método Sol-Gel y la síntesis coloidal respectivamente,
ambos procesos resultaron ser sencillos, de bajo costo y permitieron obtener NiOx con
propiedades ópticas, estructurales, morfológicas, composicionales, muy prometedoras para
aplicaciones en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.
