Estudio de las propiedades físicas y químicas de películas delgadas CuS crecidas sobre sustratos flexibles por la técnica en baño químico / [recurso electrónico] / Joseline Cabrera García ; director, Mayra Cecilia Ramírez Camacho
Tipo de material:
TextoDetalles de publicación: Mexicali, Baja California, 2023Descripción: 1 recurso en línea, 91 p. ; il.col., gráficas, fots., formulariosTema(s): Películas delgadas -- Materiales -- Tesis y disertaciones académicasClasificación LoC:TA418.9.T45 | C32 2023Recursos en línea: Tesis Digital
Nota de disertación: Tesis (Ingeniería)--Universidad Autónoma de Baja California, Facultad de Ingeniería, Mexicali, 2023. Resumen: Los calcogenuros metálicos basados en Cu, S son materiales que presentan propiedades eléctricas,
morfológicas y ópticas apropiadas para el desarrollo de nuevos materiales con bajo costo y alta
eficiencia. Ya que estos son económicos, abundantes en la naturaleza y no tóxicos.
Diversas técnicas se han utilizado para sintetizar películas delgadas de estos materiales, a través de la
técnica de depósito por baño químico (DBQ por sus siglas en inglés) es posible obtener diferentes
materiales como sulfuros, seleniuros, teluros, y óxidos que pueden presentar propiedades
semiconductoras. Las propiedades mecánicas, magnéticas, térmicas y eléctricas de las películas
delgadas a menudo provienen de dimensiones pequeñas. Estas propiedades de pequeñas
dimensiones las conduce a dispositivos flexibles.
En el presente trabajo se estudió el crecimiento de películas delgadas a partir del método de baño
químico a bajas temperaturas sobre sustratos de PMMA, poliamida y PET.
Las composiciones elementales y estados de oxidación se estudiaron por medio de espectroscopía de
fotoemisión de rayos X (XPS por sus siglas en inglés). Los resultados de XPS revelaron la presencia de
covelita CuS.
Las propiedades eléctricas se determinaron por medición de efecto hall, encontrando que la
movilidad, resistividad y concentración de portadores se encuentran entre los valores de 0.072-1.68
cm2
/V-s, 1.96-9.17 Ohm-cm y 4.16E17
-1.26E20 cm2
/V-s respectivamente. Además de demostrar que se
trataba de un semiconductor tipo p.
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Signatura | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tesis | Biblioteca Central Mexicali | Colección de Tesis | TA418.9.T45 C32 2023 (Browse shelf(Abre debajo)) | 1 | Disponible | MXL123935 |
Navegando Biblioteca Central Mexicali Estantes, Código de colección: Colección de Tesis Cerrar el navegador de estanterías (Oculta el navegador de estanterías)
Bioingeniería
Tesis (Ingeniería)--Universidad Autónoma de Baja California, Facultad de Ingeniería, Mexicali, 2023.
Incluye referencias bibliográficas
Los calcogenuros metálicos basados en Cu, S son materiales que presentan propiedades eléctricas,
morfológicas y ópticas apropiadas para el desarrollo de nuevos materiales con bajo costo y alta
eficiencia. Ya que estos son económicos, abundantes en la naturaleza y no tóxicos.
Diversas técnicas se han utilizado para sintetizar películas delgadas de estos materiales, a través de la
técnica de depósito por baño químico (DBQ por sus siglas en inglés) es posible obtener diferentes
materiales como sulfuros, seleniuros, teluros, y óxidos que pueden presentar propiedades
semiconductoras. Las propiedades mecánicas, magnéticas, térmicas y eléctricas de las películas
delgadas a menudo provienen de dimensiones pequeñas. Estas propiedades de pequeñas
dimensiones las conduce a dispositivos flexibles.
En el presente trabajo se estudió el crecimiento de películas delgadas a partir del método de baño
químico a bajas temperaturas sobre sustratos de PMMA, poliamida y PET.
Las composiciones elementales y estados de oxidación se estudiaron por medio de espectroscopía de
fotoemisión de rayos X (XPS por sus siglas en inglés). Los resultados de XPS revelaron la presencia de
covelita CuS.
Las propiedades eléctricas se determinaron por medición de efecto hall, encontrando que la
movilidad, resistividad y concentración de portadores se encuentran entre los valores de 0.072-1.68
cm2
/V-s, 1.96-9.17 Ohm-cm y 4.16E17
-1.26E20 cm2
/V-s respectivamente. Además de demostrar que se
trataba de un semiconductor tipo p.
