Optimización de las condiciones de depósito de películas de VOx preparadas por la técnica de erosión iónica [recurso electrónico] / Luis Fernando Córdova Cortez ; dirigida por Duilio Valdespino Padilla
Tipo de material:

Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Signatura | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras |
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Tesis | Biblioteca Central Ensenada | Colección de Tesis | TK7871.15.F5 C67 2024 (Browse shelf(Abre debajo)) | 1 | Disponible | ENS100244 |
Licenciatura
Universidad Autónoma de Baja California. Facultad de Ciencias, Ensenada, 2024.
Incluye referencias bibliográficas e índice.
En esta investigación se estudió la influencia de las condiciones de depósito de películas de óxido de vanadio no estequiométrico (VOx), preparadas sobre sustratos de Si [100], utilizando la técnica de erosión iónica d.c. asistida por magnetrón. Variando el flujo de oxígeno (0 mL/min y 3.6 mL/min) y la temperatura del tratamiento térmico ex situ (500 oC, 550 oC y 600 oC). Posteriormente se analizó la composición de las películas, su morfología y su resistividad. En cuanto a la composición, las muestras de 500 oC de temperatura de recocido y sin flujo de oxígeno presentaron diferentes fases de óxido de vanadio (V2O5, V2O3 y V3O7), al aumentar la temperatura a 600 oC se obtiene la fase pura V2O5 en muestras con y sin flujo de oxígeno. Las muestras de VOx sin oxígeno presentaron una morfología de granos más grandes (0. 99 μ𝑚 ± 0. 23 μ𝑚) que las crecidas con oxígeno (0. 63 μ𝑚 ± 0. 19 μ𝑚).
En base a la resistividad calculada por medio del método de cuatro puntas y el efecto Hall, las películas en presencia de flujo de oxígeno durante el depósito muestran una resistividad promedio menor que las crecidas sin presencia de flujo de oxígeno.