000			01287cam a2200385 a 4500
001			u312215
003			SIRSI
005			20160811211052.0
006			m d
007			cr |||||||||||
008			090626s2008 flua fr 001 0 eng c
010			_a 2007030748
040			_aDLC _cDLC _dBAKER _dBTCTA _dC#P _dYDXCP
020			_a9781420066906
020			_a1420066900
041	0		_aeng
050	0	0	_aTK7871.96.B55 _bS54 2008
082	0	0	_a621.3815/28 _222
050		0	_aTK7871.96.B55 _bS55 2008
245	0	0	_aSilicon heterostructure devices / _cedited by John D. Cressler.
260			_aBoca Raton : _bCRC, _c2008.
300			_a1 v. (en varias paginaciones) : _bil. ; _c26 cm.
504			_aIncluye referencias bibliográficas e índice.
650		4	_aTransistores bipolares.
650		4	_aHeteroestructuras.
650		4	_aCircuitos integrados bipolares _xDiseño y construcción.
650		0	_aBipolar transistors.
650		0	_aHeterostructures.
650		0	_aBipolar integrated circuits _xDesign and construction.
700	1		_aCressler, John D.
856	4	2	_3Publisher description _uhttp://www.loc.gov/catdir/enhancements/fy0811/2007030748-d.html
596			_a27
942			_cLIBRO
999			_c154505 _d154505