000 01195cam a2200325 a 4500
001 u320959
003 SIRSI
005 20160812064302.0
008 980513s1999 enka fr 001 0 eng c
035 _9(DLC) 98022030
020 _a9780471976448
020 _a047197644X
040 _aDLC
_cDLC
_dDLC
041 1 _aeng
_hcze
050 0 _aTK7871.85
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500 _aTraducción de: Výkonové polovodicové soucátsky a integrované struktury.
504 _aIncluye referencias bibliográficas e índice.
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856 4 2 _3Publisher description
_uhttp://www.loc.gov/catdir/description/wiley0310/98022030.html
856 4 _3Table of Contents
_uhttp://www.loc.gov/catdir/toc/onix04/98022030.html
596 _a2
942 _cLIBRO
999 _c162455
_d162455