000			04425cmm a2200301 a 4500
001			u381823
003			SIRSI
008			150504s2015 mx fo | spa d
040			_cMX-MeUAM
050		0	_aTK7871.15.F5 _bH47 2015
100	1		_aHerrera García, Jesús Rigoberto.
245	1	0	_aCaracterización estructural y por espectroscopías elipsométrica y raman de películas delgadas para aplicaciones en la industria semiconductora _h[recurso electrónico] / _cJesús Rigoberto Herrera García ; director, Nicola Radnev Nedev ; codirector, Mario Alberto Curiel Álvarez.
260			_aMexicali, Baja California, _c2015.
300			_a1 recurso en línea (132 p. : _bil., gráficas)
500			_aMaestría y Doctorado en Ciencias e Ingeniería.
502			_aTesis (Doctorado) --Universidad Autónoma de Baja California. Instituto de Ingeniería, Mexicali, 2015.
504			_aIncluye referencias bibliográficas.
520			_aLa industria microelectrónica es una de las más generosas del mercado actual. No sólo por que se han desarrollado instrumentos, aparatos y dispositivos de alta tecnología, sino porque el diseño de ellos conlleva a un análisis teórico muy interesante, sobre todo cuando se estudian las interacciones entre partículas y en presencia de campos electromagnéticos. El material dominante en la industria microelectrónica es el silicio (Si), debido a su abundancia, propiedades y a que los procesos de manufactura que requiere para su transformación y manipulación son en costos, competitivos con respecto a otros materiales. Una de las tendencias en la innovación e investigación en semiconductores está en el diseño de materiales binarios y ternarios; ya sea en homouniones y heterouniones en películas delgadas y ultradelgadas. Otra área de estudio vigente es la de los materiales nanoestructurados, en la literatura se reportan diferentes métodos de síntesis para fabricarlos y encontrar sus propiedades con aplicaciones a dispositivos. En esta tesis se reportan las características y propiedades de materiales nanoestructurados 0D (nanopartículas de silicio) que se encuentran incrustados en una matriz de óxido de silicio amorfa. Dichas nanopartículas pueden ser sintetizadas en forma cristalina o amorfa, a través 4 de procesos de recocido de óxido subestequiométrico (SiOx) bajo diferentes condiciones experimentales. Mediante espectroscopías y microscopías se estudian los materiales para determinar su composición química y características estructurales, para así correlacionarlas con los procesos de fabricación. A través de caracterización eléctrica se analizan los mecanismos de transporte y de almacenamiento de carga, esto mediante la obtención de curvas capacitancia-voltaje (C-V) y corriente- voltaje (I-V); así se cuenta con un panorama completo de la estructura y propiedades de los materiales que permiten buscar aplicaciones a dispositivos electrónicos y optoelectrónicos, tales como sensores, memorias y dosímetros. Ante la diversidad de técnicas y herramientas para caracterización es relevante analizar cuáles son las más pertinentes para realizar un estudio preliminar de las propiedades, en específico de materiales nanoestructurados. Con ello se pretende conocer de manera confiable las propiedades de las estructuras fabricadas antes de ser sometidas a otras técnicas. Uno de los objetivos de esta tesis es abordar el conocimiento y la técnica de una manera unificadora, de tal forma que el lector pueda comprender la relevancia de tener el fundamento teórico de la ingeniería de materiales englobado en las Leyes de la Física, el diseño y caracterización de materiales, así como del proceso de manufactura y sus áreas de oportunidad. Las compañías no pueden innovar realmente en nuevos productos sin un sentido global e integral del concepto.
650		4	_aSemiconductores de películas delgadas _vTesis y disertaciones académicas.
650		7	_aSemiconductores _vTesis y disertaciones académicas. _2lemb
650		7	_aMicroelectrónica _vTesis y disertaciones académicas. _2lemb
700	1		_aRadnev Nedev, Nicola, _edir.
700	1		_aCuriel Álvarez, Mario Alberto, _edir
710	2		_aUniversidad Autónoma de Baja California. _bInstituto de Ingeniería.
856	4		_zTesis Digital _uhttps://drive.google.com/file/d/0B7AGEh5aIwoTS3lSdGJhTmN4ZDg/view?usp=sharing
596			_a2
942			_cTESIS
999			_c208536 _d208536