000			03686cmm a2200253 a 4500
003			MX-MeUAM
005			20250826061221.0
008			250808s2025 mx fo d spa d
040			_aMX-MeUAM _bspa _cMX-MeUAM
050		4	_aTA418.9.N35 _bO88 2025
100	1		_aOsuna Escalante Eddue Heliodoro _939004
245	1	0	_aFotodetectores de Banda UV-Vis y UV ciegos a la luz visible basados en NIOx _h[recurso electrónico] / _cEddue Heliodoro Osuna Escalante ; director, Nicola Radnev Nedev
260			_aMexicali, Baja California, _c2025.
300			_a1 recurso en línea, 189 p. : _bil. col. , gráficas ;
500			_aMaestría en ciencias e ingeniería
502			_aTesis (Maestría) -- Universidad Autónoma de Baja California. Institutito de Ingeniería, Mexicali, 2025.
504			_aIncluye referencias bibliográficas.
520			_aEl objetivo principal del proyecto de investigación fue la deposición y caracterización de películas de óxido de níquel (NiOx) y óxido de zinc (ZnO) para aplicaciones en fotodetectores del espectro UV-Vis y UV-ciegos a la luz visible. Fotodetectores UV-Vis con alta responsividad (R) fueron fabricados mediante la deposición de películas de NiOx por RF sputtering en n-Si a temperatura ambiente (RT), 50 °C y 100 °C. En modo de auto-alimentación los fotodiodos presentaron una R entre 0.95 y 0.39 A/W para longitudes de onda entre 365 y 635 nm, mientras que bajo polarización inversa de −4 V, la R aumenta a valores entre 22 y 10.7 A/W para longitudes de onda en el mismo rango. El incremento de la temperatura de deposición conlleva a una disminución de la R, pero también a una menor corriente inversa en oscuridad, provoca un aumento de la resistividad del NiOx y un incremento de la resistencia en serie de los fotodiodos. Adicionalmente, fue estudiado el efecto del recocido térmico rápido (RTA) en las propiedades de los fotodiodos, al aplicar RTA a 550 °C por 6 minutos da lugar a una mayor responsividad comparado con la R de los fotodiodos con películas sin tratamientos térmicos. Sin embargo, una desventaja de los diodos recocidos es que la corriente en polarización inversa depende de la amplitud y polaridad de la tensión de polarización aplicada previamente. La mayor R de los fotodiodos con RTA los hace útiles como sensores de luz. Se fabricaron fotodiodos UV-ciegos a luz visible basados en heteroestructuras NiOx/ZnO, con NiOx depositado por RF sputtering a temperatura ambiente y ZnO mediante deposición por capas atómicas asistido por plasma (PE-ALD). Previo a la deposición de ZnO se empleó un pretratamiento del sustrato mediante plasma por 5 y 10 minutos para promover la adhesión de las películas a diferentes sustratos. Los fotodiodos con películas de ZnO con pretratamiento de 5 minutos mostraron una responsividad (R) entre 4.05 y 0.02 A/W en modo de auto-alimentación, y de 116 a 0.86 A/W bajo −1.5 V, en el rango de 365–635 nm. Tiempos de pretratamiento más largos resultaron en defectos en ZnO, causando atrapamiento de carga bajo iluminación UV. Las heterouniónes en sustratos transparentes rígidos ofrecieron resultados prometedores, mientras que en sustratos transparentes flexibles el rendimiento disminuyó, lo que indica una necesidad de mayor optimización para adaptar el proceso a sustratos flexibles.
650		4	_amateriales nanoestructurados _vTesis y disertaciones académicas.
700	1		_aRadnev Nedev, Nicola _edir. _99466
710	2		_aUniversidad Autónoma de Baja California. _93321 _bInstituto de Ingeniería
856			_uhttps://drive.google.com/file/d/1r-kwcmvG_7wup7FZ1xz22smZncJgA6sV/view?usp=drive_link _zTesis digital
942			_cTESIS
999			_c279437 _d279436