000 02275cmm a2200289 a 4500
001 u315815
003 MX-MeUAM
005 20250826061222.0
008 250825s2025 mx fo d spa d
040 _aMX-MeUAM
_bspa
_cMX-MeUAM
050 4 _aQC378
_bN38 2025
100 1 _aNavarro Rodríguez, Jackeline
_939241
245 1 0 _aDiseño y construcción de un sistema de depósito por capas atómicas para la obtención de películas delgadas semiconductoras y aislantes
_h[recurso electrónico] /
_cJackeline Navarro Rodríguez ; director, Francisco David Mateos Anzaldo ; codirector, Jesús Román Martínez Castelo
260 _aMexicali, Baja California,
_c2025.
300 _a1 disco compacto ;
_c4 3/4 plg.
300 _a1 recurso en línea, 90 p. :
_bil. col., gráficas
500 _aMaestría en Ingeniería.
502 _aTesis (Maestría) --Universidad Autónoma de Baja California. Instituto de Ingeniería, Mexicali, 2025.
504 _aIncluye referencias bibliográficas.
520 _aLa industria de semiconductores exige constantemente nuevas alternativas para obtener materiales con propiedades superiores, fundamentales para el desarrollo de la electrónica moderna. En respuesta a esta demanda, el presente proyecto de investigación se centró en el diseño y construcción de un sistema de depósito por capas atómicas (ALD, por sus siglas en inglés “Atomic Layer Deposition”), que permite la deposición de películas semiconductoras y aislantes de espesor nanométrico a bajas temperaturas, mediante el uso de precursores en fase gaseosa. La técnica de ALD ofrece ventajas significativas, tales como: control preciso del espesor, capacidad para generar multicapas, uniformidad excepcional y recubrimiento conformal sobre estructuras tridimensionales con alta relación de aspecto.
650 7 _aPelículas ópticas
_vTesis y disertaciones académicas.
_2lemb
650 4 _aCapas atómicas
_xDiseño y construcción
_vTesis y disertaciones académicas.
700 1 _aMateos Anzaldo, Francisco David
_edir.
_922147
710 2 _aUniversidad Autónoma de Baja California.
_bInstituto de Ingeniería
_93321
856 4 _zTesis Digital
_uhttps://drive.google.com/file/d/1b1DoiE1vdnzmfRBpdTdq5ERujJMmAF8T/view?usp=sharing
942 _cTESIS
999 _c279584
_d279583