000			03987nam a22002777a 4500
003			MX-MeUAM
005			20260127061918.0
008			260126s2026 mx ||||fo||d 00| 0 spa d
040			_aMX-MeUAM _bspa _cMX-MeUAM
050		4	_aTK7871.85 _bB34 2026
100	1		_aBaez Nuñez, Daniel Omar _922153
245	1	0	_aDesarrollo de un modelo físico y numérico del transporte electro-térmico en celdas unitarias Peltier basadas en interfaces metal-semiconductor : _h[recurso electrónico] / _cDaniel Omar Báez Núñez ; director, Carlos Villa Angulo ; codirector, Iván Olaf Hernández Fuentes.
260			_aMexicali, Baja California, _c2026.
300			_arecurso en línea (99 p.) : _bil., gráficas.
500			_aDoctorado en Ciencias
502			_aTesis (Doctorado) Universidad Autónoma de Baja California. Instituto de Ingeniería, Mexicali, 2026.
504			_aIncluye referencias bibliográficas p. 98-99.
520			_aIntroducción: Los dispositivos termoeléctricos permiten la conversión directa entre energía eléctrica y energía térmica mediante el aprovechamiento de fenómenos termoeléctricos fundamentales, tales como los efectos Seebeck y Peltier. A diferencia de los sistemas de refrigeración convencionales, estos dispositivos no requieren partes móviles ni fluidos de trabajo, lo que les confiere ventajas importantes en términos de confiabilidad, compactación y control preciso de la temperatura. Debido a estas características, las celdas termoeléctricas han encontrado aplicaciones en sistemas de refrigeración de estado sólido, control térmico de dispositivos electrónicos y aprovechamiento de gradientes térmicos para la generación de energía eléctrica [1, 3, 4]. El funcionamiento de una celda termoeléctrica de efecto Peltier se basa en el transporte de portadores de carga a través de materiales semiconductores con diferentes propiedades eléctricas y térmicas. Cuando una corriente eléctrica atraviesa el dispositivo, los portadores intercambian energía con la red cristalina, dando lugar a la absorción o liberación de calor en las interfaces entre materiales. En este contexto, el desempeño del dispositivo depende de manera crítica de la eficiencia con la que se transportan las cargas eléctricas y de la forma en que se distribuyen los potenciales eléctricos y térmicos a lo largo de la estructura. En particular, las interfaces metal–semiconductor desempeñan un papel fundamental en el comportamiento global del dispositivo, ya que en ellas se establecen las condiciones de frontera para el transporte de carga. La naturaleza del contacto, ya sea óhmico o Schottky, determina la existencia de barreras de potencial que pueden modificar la densidad de corriente eléctrica y generar pérdidas energéticas adicionales. Estas pérdidas no solo afectan el comportamiento eléctrico del sistema, sino que también impactan directamente la transferencia de calor asociada al efecto Peltier, influyendo en la magnitud y estabilidad del gradiente de temperatura generado. 6 Bajo este enfoque, resulta necesario analizar de manera detallada el comportamiento eléctrico de las interfaces metal–semiconductor y su influencia sobre el desempeño termoeléctrico del dispositivo. La comprensión de estos fenómenos permite establecer una base sólida para el desarrollo de modelos físicos que describan de forma más precisa el transporte de carga y energía en celdas termoeléctricas, así como para la optimización de su diseño y operación.
650		7	_aSemiconductores _vTesis y disertaciones académicas. _2lemb
650		4	_aEfecto Peltier _vTesis y disertaciones académicas.
700	1		_aVilla Angulo, Carlos _edir. _92051
700	1		_aHernández Fuentes, Iván Olaf _ecodir. _922154
710	2		_998 _aUniversidad Autónoma de Baja California. _bInstituto de Ingeniería
856			_uhttps://drive.google.com/file/d/1xmDt96KNjUIax6vmnT7iVGgpA9Ect58j/view?usp=sharing _zTesis digital
942			_cTESIS
999			_c282260 _d282259