Síntesis y caracterización de las propiedades vibracionales e isotópicas de Ga(CH3)3, para el crecimiento de películas delgadas de GaN mediante la técnica Depósito por Capa Atómica
Vazquez Arce, Jorge Luis, 1993-
Síntesis y caracterización de las propiedades vibracionales e isotópicas de Ga(CH3)3, para el crecimiento de películas delgadas de GaN mediante la técnica Depósito por Capa Atómica [recurso electrónico] / Jorge Luis Vazquez Arce ; dirigida por Jorge Octavio Mata Ramírez - Ensenada, Baja California, 2018 - 1 recurso en línea viii, 62 p. : il.
Tesis (Maestría)--Universidad Autónoma de Baja California. Facultad de Ingenieria, Arquitectura y Diseño, Ensenada, 2018
Incluye referencias bibliográficas
En este trabajo de investigación se realizó el estudio de las propiedades vibracionales e isotópicas de trimetilgalio Ga(CH3) sintetizado vía aducto de Ga(CH3)·(C5H11)2O a partir de una aleación eutéctica de galio y magnesio Ga2Mg5, iodometano (ICH3) e isoamil-éter (C5H11)2O a 120 oC. La fase cristalina
de la aleación de Ga2Mg5 fue caracterizada por la técnica de Difracción de Rayos X (XRD) y la morfología superficial por Microscopía Electrónica de Barrido (SEM). Los modos vibracionales de Ga(CH3) fueron caracterizados por
Espectroscopia Infrarroja asistida por Transformada de Fourier (FTIR) complementada por Espectroscopia de Reflexión Interna (ATR-IR), y el patrón isotópico mediante espectroscopia de masas. Además, se realizó el estudio espectroscópico de Fotoelectrones Emitidos por Rayos X (XPS) de la comparación del estado químico y la estructura electrónica de películas delgadas de GaN crecidas por la técnica de depósito por capas atómicas asistido por plasma (PE-ALD, por sus siglas en inglés; Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) a 150 oC donde se utilizó el Ga(CH3)3 sintetizado, Ga(CH3)3 comercial, y radicales de nitrógeno como reactante.
Ingeniería--Tesis y disertaciones académicas
Películas delgadas
QC378 / V39 2018
Síntesis y caracterización de las propiedades vibracionales e isotópicas de Ga(CH3)3, para el crecimiento de películas delgadas de GaN mediante la técnica Depósito por Capa Atómica [recurso electrónico] / Jorge Luis Vazquez Arce ; dirigida por Jorge Octavio Mata Ramírez - Ensenada, Baja California, 2018 - 1 recurso en línea viii, 62 p. : il.
Tesis (Maestría)--Universidad Autónoma de Baja California. Facultad de Ingenieria, Arquitectura y Diseño, Ensenada, 2018
Incluye referencias bibliográficas
En este trabajo de investigación se realizó el estudio de las propiedades vibracionales e isotópicas de trimetilgalio Ga(CH3) sintetizado vía aducto de Ga(CH3)·(C5H11)2O a partir de una aleación eutéctica de galio y magnesio Ga2Mg5, iodometano (ICH3) e isoamil-éter (C5H11)2O a 120 oC. La fase cristalina
de la aleación de Ga2Mg5 fue caracterizada por la técnica de Difracción de Rayos X (XRD) y la morfología superficial por Microscopía Electrónica de Barrido (SEM). Los modos vibracionales de Ga(CH3) fueron caracterizados por
Espectroscopia Infrarroja asistida por Transformada de Fourier (FTIR) complementada por Espectroscopia de Reflexión Interna (ATR-IR), y el patrón isotópico mediante espectroscopia de masas. Además, se realizó el estudio espectroscópico de Fotoelectrones Emitidos por Rayos X (XPS) de la comparación del estado químico y la estructura electrónica de películas delgadas de GaN crecidas por la técnica de depósito por capas atómicas asistido por plasma (PE-ALD, por sus siglas en inglés; Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) a 150 oC donde se utilizó el Ga(CH3)3 sintetizado, Ga(CH3)3 comercial, y radicales de nitrógeno como reactante.
Ingeniería--Tesis y disertaciones académicas
Películas delgadas
QC378 / V39 2018
