Síntesis y caracterización de las propiedades vibracionales e isotópicas de Ga(CH3)3, para el crecimiento de películas delgadas de GaN mediante la técnica Depósito por Capa Atómica [recurso electrónico] / Jorge Luis Vazquez Arce ; dirigida por Jorge Octavio Mata Ramírez

Por: Vazquez Arce, Jorge Luis, 1993-Colaborador(es): Mata Ramírez, Jorge OctavioTipo de material: TextoTextoDetalles de publicación: Ensenada, Baja California, 2018Descripción: 1 recurso en línea viii, 62 p. : ilTema(s): Ingeniería -- Tesis y disertaciones académicas | Películas delgadasClasificación LoC:QC378 | V39 2018Recursos en línea: Tesis DigitalTexto Nota de disertación: Tesis (Maestría)--Universidad Autónoma de Baja California. Facultad de Ingenieria, Arquitectura y Diseño, Ensenada, 2018 Resumen: En este trabajo de investigación se realizó el estudio de las propiedades vibracionales e isotópicas de trimetilgalio Ga(CH3) sintetizado vía aducto de Ga(CH3)·(C5H11)2O a partir de una aleación eutéctica de galio y magnesio Ga2Mg5, iodometano (ICH3) e isoamil-éter (C5H11)2O a 120 oC. La fase cristalina de la aleación de Ga2Mg5 fue caracterizada por la técnica de Difracción de Rayos X (XRD) y la morfología superficial por Microscopía Electrónica de Barrido (SEM). Los modos vibracionales de Ga(CH3) fueron caracterizados por Espectroscopia Infrarroja asistida por Transformada de Fourier (FTIR) complementada por Espectroscopia de Reflexión Interna (ATR-IR), y el patrón isotópico mediante espectroscopia de masas. Además, se realizó el estudio espectroscópico de Fotoelectrones Emitidos por Rayos X (XPS) de la comparación del estado químico y la estructura electrónica de películas delgadas de GaN crecidas por la técnica de depósito por capas atómicas asistido por plasma (PE-ALD, por sus siglas en inglés; Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) a 150 oC donde se utilizó el Ga(CH3)3 sintetizado, Ga(CH3)3 comercial, y radicales de nitrógeno como reactante.
Star ratings
    Valoración media: 0.0 (0 votos)
Existencias
Tipo de ítem Biblioteca actual Colección Signatura Copia número Estado Fecha de vencimiento Código de barras
Tesis Biblioteca Central Ensenada
Colección de Tesis QC378 V39 2018 (Browse shelf(Abre debajo)) 1 Disponible ENS089167

Tesis (Maestría)--Universidad Autónoma de Baja California. Facultad de Ingenieria, Arquitectura y Diseño, Ensenada, 2018

Incluye referencias bibliográficas

En este trabajo de investigación se realizó el estudio de las propiedades vibracionales e isotópicas de trimetilgalio Ga(CH3) sintetizado vía aducto de Ga(CH3)·(C5H11)2O a partir de una aleación eutéctica de galio y magnesio Ga2Mg5, iodometano (ICH3) e isoamil-éter (C5H11)2O a 120 oC. La fase cristalina
de la aleación de Ga2Mg5 fue caracterizada por la técnica de Difracción de Rayos X (XRD) y la morfología superficial por Microscopía Electrónica de Barrido (SEM). Los modos vibracionales de Ga(CH3) fueron caracterizados por
Espectroscopia Infrarroja asistida por Transformada de Fourier (FTIR) complementada por Espectroscopia de Reflexión Interna (ATR-IR), y el patrón isotópico mediante espectroscopia de masas. Además, se realizó el estudio espectroscópico de Fotoelectrones Emitidos por Rayos X (XPS) de la comparación del estado químico y la estructura electrónica de películas delgadas de GaN crecidas por la técnica de depósito por capas atómicas asistido por plasma (PE-ALD, por sus siglas en inglés; Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) a 150 oC donde se utilizó el Ga(CH3)3 sintetizado, Ga(CH3)3 comercial, y radicales de nitrógeno como reactante.

Con tecnología Koha