Estudio y caracterización de películas delgadas basadas en silicio depositadas por sputtering con magnetrón RF [recurso electrónico] / Alejandro Lizárraga Maldonado ; director, Mario Alberto Curiel Álvarez.
Tipo de material:
Archivo de ordenadorDetalles de publicación: Mexicali, Baja California, 2015Descripción: 1 recurso en línea (62 p. : il., gráficas)Tema(s): Pulverización catódica magnetrón -- Tesis y disertaciones académicasClasificación LoC:QC176.8.M34 | L59 2015Recursos en línea: Tesis Digital
Nota de disertación: Tesis (Maestría) --Universidad Autónoma de Baja California. Instituto de Ingeniería, Mexicali, 2015. Resumen: En el presente trabajo se estudian las propiedades de películas delgadas basadas en Silicio depositadas por medio de Espurreo con Magnetrón RF empleado Argón como gas de trabajo a diferentes presiones. Las películas obtenidas se analizaron por medio de Microscopía de Fuerza Atómica (AFM), Espectroscopía de rayos X por energía dispersiva (EDS), Elipsometría Espectroscópica de Angulo Variable (VASE) y técnicas de caracterización eléctrica. Para el análisis de los datos de elipsometría se realizaron ajustes por medio de diversos modelos de funciones dieléctricas (B-Spline, Osciladores Generales) y se calcularon las constantes ópticas de las diferentes muestras. Un estudio preliminar de Elipsometría Espectroscópica (SE) permitió observar que las películas depositadas poseían constantes ópticas de óxidos de Silicio sub-estequiométricos (SiOx) con diferentes composiciones. Los espectros obtenidos de EDS confirmaron la presencia de Oxígeno en diferentes concentraciones en los depósitos y se observó una relación entre la presión de trabajo y el cambio de las constantes ópticas. A pesar de que la composición elemental de las películas no correspondía a las condiciones de depósito empleadas, se estudiaron sus propiedades ópticas y eléctricas de los depósitos y se propuso un modelo de elipsometría para la función dieléctrica de los depósitos.
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Signatura | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tesis | Biblioteca Central Mexicali | Área de Préstamo | QC176.8 .M34 L59 2015 (Browse shelf(Abre debajo)) | 1 | Disponible | MXL118157 |
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Maestría y Doctorado en Ciencias e Ingeniería.
Tesis (Maestría) --Universidad Autónoma de Baja California. Instituto de Ingeniería, Mexicali, 2015.
Incluye referencias bibliográficas.
En el presente trabajo se estudian las propiedades de películas delgadas basadas en Silicio depositadas por medio de Espurreo con Magnetrón RF empleado Argón como gas de trabajo a diferentes presiones. Las películas obtenidas se analizaron por medio de Microscopía de Fuerza Atómica (AFM), Espectroscopía de rayos X por energía dispersiva (EDS), Elipsometría Espectroscópica de Angulo Variable (VASE) y técnicas de caracterización eléctrica. Para el análisis de los datos de elipsometría se realizaron ajustes por medio de diversos modelos de funciones dieléctricas (B-Spline, Osciladores Generales) y se calcularon las constantes ópticas de las diferentes muestras. Un estudio preliminar de Elipsometría Espectroscópica (SE) permitió observar que las películas depositadas poseían constantes ópticas de óxidos de Silicio sub-estequiométricos (SiOx) con diferentes composiciones. Los espectros obtenidos de EDS confirmaron la presencia de Oxígeno en diferentes concentraciones en los depósitos y se observó una relación entre la presión de trabajo y el cambio de las constantes ópticas. A pesar de que la composición elemental de las películas no correspondía a las condiciones de depósito empleadas, se estudiaron sus propiedades ópticas y eléctricas de los depósitos y se propuso un modelo de elipsometría para la función dieléctrica de los depósitos.
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