Diseño y construcción de un sistema de depósito por capas atómicas para la obtención de películas delgadas semiconductoras y aislantes [recurso electrónico] / Jackeline Navarro Rodríguez ; director, Francisco David Mateos Anzaldo ; codirector, Jesús Román Martínez Castelo
Tipo de material:
Archivo de ordenadorDetalles de publicación: Mexicali, Baja California, 2025Descripción: 1 disco compacto ; 4 3/4 plg; 1 recurso en línea, 90 p. : il. col., gráficasTema(s): Películas ópticas -- Tesis y disertaciones académicas | Capas atómicas -- Diseño y construcción -- Tesis y disertaciones académicasClasificación LoC:QC378 | N38 2025Recursos en línea: Tesis Digital
Nota de disertación: Tesis (Maestría) --Universidad Autónoma de Baja California. Instituto de Ingeniería, Mexicali, 2025. Resumen: La industria de semiconductores exige constantemente nuevas alternativas para obtener materiales con propiedades superiores, fundamentales para el desarrollo de la electrónica moderna. En respuesta a esta demanda, el presente proyecto de investigación se centró en el diseño y construcción de un sistema de depósito por capas atómicas (ALD, por sus siglas en inglés “Atomic Layer Deposition”), que permite la deposición de películas semiconductoras y aislantes de espesor nanométrico a bajas temperaturas, mediante el uso de precursores en fase gaseosa. La técnica de ALD ofrece ventajas significativas, tales como: control preciso del espesor, capacidad para generar multicapas, uniformidad excepcional y recubrimiento conformal sobre estructuras tridimensionales con alta relación de aspecto.
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Signatura | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tesis | Biblioteca Central Mexicali | Colección de Tesis | QC378 N38 2025 (Browse shelf(Abre debajo)) | 1 | Disponible | MXL125736 |
Maestría en Ingeniería.
Tesis (Maestría) --Universidad Autónoma de Baja California. Instituto de Ingeniería, Mexicali, 2025.
Incluye referencias bibliográficas.
La industria de semiconductores exige constantemente nuevas alternativas para obtener materiales con propiedades superiores, fundamentales para el desarrollo de la electrónica moderna. En respuesta a esta demanda, el presente proyecto de investigación se centró en el diseño y construcción de un sistema de depósito por capas atómicas (ALD, por sus siglas en inglés “Atomic Layer Deposition”), que permite la deposición de películas semiconductoras y aislantes de espesor nanométrico a bajas temperaturas, mediante el uso de precursores en fase gaseosa. La técnica de ALD ofrece ventajas significativas, tales como: control preciso del espesor, capacidad para generar multicapas, uniformidad excepcional y recubrimiento conformal sobre estructuras tridimensionales con alta relación de aspecto.
